|
|||||
|
|
| 氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法 | |
| 作者姓名： | 赵育明 周科衍 |
| 作者单位： | 大连理工大学化学系 |
| 摘 要： | 氮化镓的性质及其金属有机化学蒸汽沉淀法赵育明，周科衍（大连理工大学化学系，１１６０１２）１ＧａＮ的性质及其应用ＧａＮ是一种重要的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，它具有以下特性：较宽的直接带隙（３．４ｅＶ），很高的电导率和热导率，很高的硬度（接近于蓝宝石）及... |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |