| MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取 |
| |
| 引用本文： | 杨谟华,于奇,王向展,陈勇,刘玉奎,肖兵,杨沛锋,方朋,孔学东,谭超元,钟征宇.MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取[J].半导体学报,2000,21(3):268-273. |
| |
| 作者姓名： | 杨谟华 于奇 王向展 陈勇 刘玉奎 肖兵 杨沛锋 方朋 孔学东 谭超元 钟征宇 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054，电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054，电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054，电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054，电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054，电子科技大学微电子科学与工程系!成都610054，电 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;69576004; |
| |
| 摘 要： | 基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测
|
| 关 键 词： | 模型参数 热载流子 退化/寿命 MOSFET |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)03-0268-06 |
| 修稿时间： | 1998年11月6日 |
Model Parameter Extraction for MOSFETs Hot Carrier Degradation/Age |
| |
| YANG Mo\|hua,YU Qi,WANG Xiang\|zhan,CHEN Yong,LIU Yu\|kui,XIAO Bing,YANG Pei\|feng and FANG Peng.Model Parameter Extraction for MOSFETs Hot Carrier Degradation/Age[J].Chinese Journal of Semiconductors,2000,21(3):268-273. |
| |
| Authors: | YANG Mo\|hua YU Qi WANG Xiang\|zhan CHEN Yong LIU Yu\|kui XIAO Bing YANG Pei\|feng and FANG Peng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Model Parameter Hot Carrier Degradation/Aging MOSFET |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
