| GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,张勇,A Mascarenhas,辛火平,杜武青. GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱[J]. 半导体学报, 2003, 24(5): 476-480 |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 张勇 A Mascarenhas 辛火平 杜武青 |
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| 作者单位： | [1]厦门大学物理系，厦门361005 [2]美国可再生能源实验室 [3]美国加利弗尼亚大学电机工程系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;60276002; |
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| 摘 要： | 通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %～0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.
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| 关 键 词： | GaPN混晶 等电子陷阱 带隙弯曲 光致发光谱 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)05-0476-05 |
| 修稿时间： | 2002-06-25 |
Photoluminescence Spectra of GaP1-xNx Alloys |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaPN alloy isoelectronic trap band-gap bowing photoluminescence |
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