| 离子敏场效应晶体管 |
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| 引用本文： | 丁辛芳,牛蒙年.离子敏场效应晶体管[J].传感器与微系统,1995(4):1-6. |
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| 作者姓名： | 丁辛芳 牛蒙年 |
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| 作者单位： | 东南大学微电子中心 |
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| 摘 要： | 近年来对基于ＭＯＳ技术制造的离子散场效应晶体管（ＩＳＦＥＴ）的特性研究做了大量的工作。综述了ＩＳＦＥＴ器件（尤其是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ）在敏感机理、集成化、封装和应用等方面的研究状况与新进展。
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| 关 键 词： | ISFET器件，敏感机理，CAD技术，集成化，封装，应用 |
Ion-Sensitive Field-Effect Transistors |
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| Ding Xinfang, Niu Mengnian.Ion-Sensitive Field-Effect Transistors[J].Transducer and Microsystem Technology,1995(4):1-6. |
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| Authors: | Ding Xinfang Niu Mengnian |
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| Abstract: | Recently much work has been done to characterize Ion-Sensitive Field-Effect Transistors(ISFET) based on MOS technology. The start-of-art and new development of ISFET(particularly in pH-ISFET sensors) in mechanism, integratigation,encapsulation and application ect, are described. |
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| Keywords: | ISFET sensors Mechanism CAD technology Integratigation Encapsulation Application |
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