|
|||||
|
|
| 光刻胶树脂结构与性能技术进展 | |
| 引用本文： | 陈寿天宝,张念椿,魏永明,马晓华,杨虎,庄黎伟,汤初阳,李金荣,郑鹤立,许振良.光刻胶树脂结构与性能技术进展[J].山东化工,2022(22):117-120+124. |
| 作者姓名： | 陈寿天宝 张念椿 魏永明 马晓华 杨虎 庄黎伟 汤初阳 李金荣 郑鹤立 许振良 |
| 作者单位： | 西陇科学股份有限公司 |
| 摘 要： | 光刻工艺随集成电路的发展成为核心环节，被誉为集成电路制造这顶皇冠上最耀眼的明珠。而光刻技术离不开其辅助材料光刻胶，每一代光刻技术得到的突破都将在相应光刻胶技术上得到体现，从436 nm光刻技术到248 nm KrF光刻技术、193 nm ArF光刻技术再到EUV光刻技术等，与之相应的光刻胶也不尽相同。 |
| 关 键 词： | 光刻 光刻胶 紫外 深紫外 极紫外 |