由高湿度和离子沾污引起的GaAsFET的失效机理

研究了市售低噪声GaAsFET经受高湿度、离子沾污和温度循环而引起的失效机理。这类器件将用在那种不利的环境条件下。已对四个不同厂家的铝和金/难熔合金栅器件进行了研究。金/难熔栅对由恶劣环境引起的退化不够灵敏。确定了失效机理以及与器件电特性退化的关系。