| 功率密度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 赵方红,庄大明,张弓,查杉.功率密度对中频磁控溅射制备的氧化锌镓薄膜性能的影响[J].真空科学与技术学报,2005,25(3):222-224,237. |
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| 作者姓名： | 赵方红 庄大明 张弓 查杉 |
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| 作者单位： | 清华大学机械工程系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 利用中频磁控溅射方法,溅射Ga2O3含量为6.7wt%的氧化锌镓陶瓷靶材,在低温下(约40℃)制备了ZGO薄膜.考察了溅射功率密度对ZGO薄膜的晶体结构、电学和光学性能的影响.结果表明:溅射功率密度对薄膜的结构、红外反射以及导电性能有较大影响.当溅射功率密度为3.58W/cm2,氩气压力为0.8Pa时,薄膜的电阻率低达1.5×10-3Ω·cm,方块电阻为23Ω时,可见光(λ＝400nm～800nm)平均透过率高于90%.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 ZGO薄膜 溅射功率密度 电阻率 透过率 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）03-0222-03 |
| 收稿时间： | 2004-10-14 |
| 修稿时间： | 2004-10-14 |
Influence of Target Power Density on Ga-Doped ZnO Thin Films Prepared by Middle-Frequency Alternative Magnetron Sputtering |
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| Zhao Fanghong,Zhuang Daming,Zhang Gong,Zha Shan.Influence of Target Power Density on Ga-Doped ZnO Thin Films Prepared by Middle-Frequency Alternative Magnetron Sputtering[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(3):222-224,237. |
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| Authors: | Zhao Fanghong Zhuang Daming Zhang Gong Zha Shan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering ZGO thin film Sputtering power density Resistivity Transmittance |
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