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生长温度梯度对Bi4Ge3O12晶体辐照损伤的影响
引用本文:肖海斌,胡关钦,徐力.生长温度梯度对Bi4Ge3O12晶体辐照损伤的影响[J].无机材料学报,2003,18(2):470-474.
作者姓名:肖海斌  胡关钦  徐力
作者单位:中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800
摘    要:研究了两类不同条件下生长年Bi4Ge3O12晶体紫外辐照前后的光学透射谱和能量分辨率,研究结果指出:第一类晶体(高温度梯度生长)经紫外辐照后,在480nm透过率有明显下降(20%以上),能量分辩率也明显变差(改变5%以上)。而第二类晶体(低温度梯度生长)经紫外辐照后,其透射谱以及能量分辩率基本不变。从晶体缺陷角度讨论了造成两类不同晶体抗辐照性能存在差别的原因。

关 键 词:Bi4Ge3O12晶体  温度梯度  辐照损伤  能量分辩率
文章编号:1000-324X(2003)02-0470-05
收稿时间:2002-3-5
修稿时间:2002年3月5日

Influence of Temperature Gradient on Radiation Damage of BGO Crystals
XIAO Hai-Bin,HU Guan-Qin,XU Li.Influence of Temperature Gradient on Radiation Damage of BGO Crystals[J].Journal of Inorganic Materials,2003,18(2):470-474.
Authors:XIAO Hai-Bin  HU Guan-Qin  XU Li
Affiliation:ShanghaiInstituteofCeramics;ChineseAcademyofSciences;Shanghai200050;China
Abstract:
Keywords:Bi_4Ge_3O_(12)crystals  temperature gradient  radiation damage  
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