| MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究 |
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| 引用本文： | 高卓 胡跃辉 朱秀红 马占杰 周怀恩 陈光华. MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 432-433 |
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| 作者姓名： | 高卓 胡跃辉 朱秀红 马占杰 周怀恩 陈光华 |
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| 作者单位： | 高卓（北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022）;胡跃辉（北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022）;朱秀红（北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022）;马占杰（北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022）;周怀恩（北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022）;陈光华（北京工业大学,新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划973资助项目(G2000028201-1) |
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| 摘 要： | 通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-SiH)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-SiH薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.
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| 关 键 词： | 氢化非晶硅薄膜 暗电导激活能 光敏性 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0432-02 |
| 修稿时间： | 2004-03-20 |
Study on optical and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon synthesized by MW-ECR CVD |
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