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硅片激光退火后熔融的新进展

引用本文：	郑教敬.硅片激光退火后熔融的新进展[J].激光与光电子学进展,1983,20(3):47.

作者姓名：	郑教敬

作者单位：	郑教敬:

摘要：	硅片上脉冲激光退火实验的新进展使得能够测量时间分辨率为熔点前后30微微秒的反射率，这些进展带来了显而易见的迹象：晶格过热、熔化和蒸发可在20微微秒脉冲内产生。哈佛大学的布隆伯根(N. Bloemberger)等在为第三届微微秒现象专题会议准备的报告中报导了这些结果。