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| 硅基纳米SiC的制备及其微结构分析 | |
| 作者姓名： | 李宁生 鲍希茂 廖良生 吴晓华 高义华 张泽 |
| 作者单位： | [1]南京大学物理系 [2]中国科学院北京电子显微镜室 |
| 摘 要： | 在室温下将C+注入硅衬底，注入能量和剂量分别为50keV，2×1016cm－2．经高温退火形成，β-SiC颗粒沉淀．用傅里叶变换红外吸收谱，光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析． |
| 关 键 词： | 半导体 碳化硅 硅基纳米 微结构 |
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