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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
硅基纳米SiC的制备及其微结构分析
作者姓名:
李宁生
鲍希茂
廖良生
吴晓华
高义华
张泽
作者单位:
[1]南京大学物理系 [2]中国科学院北京电子显微镜室
摘 要:
在室温下将C+注入硅衬底,注入能量和剂量分别为50keV,2×1016cm-2.经高温退火形成,β-SiC颗粒沉淀.用傅里叶变换红外吸收谱,光电子能谱以及高分辨率透射电镜对注入样品中的纳米β-SiC及其微结构作了分析.
关 键 词:
半导体 碳化硅 硅基纳米 微结构
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