|
|||||
|
|
| 液相外延生长的Al_xGa_(1-X)As中Al组分分布及少子扩散长度的研究 | |
| 引用本文： | 刘宏勋,陈娓兮,虞丽生.液相外延生长的Al_xGa_(1-X)As中Al组分分布及少子扩散长度的研究[J].半导体学报,1983,4(1):93-96. |
| 作者姓名： | 刘宏勋 陈娓兮 虞丽生 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 (刘宏勋，陈娓兮)，北京大学物理系(虞丽生) |
| 摘 要： | 用液相外延生长了不同x值0.2-0.8的P型和N型AlxGa_(1-x)As.用X光能谱法测量了厚度10μm范围内的Al组分分布.发现在厚度为5μm以内Al组分基本上是均匀的,而在5μm以外随着厚度的增加对于高Al样品x值是增高的,而对于较低Al组分样品x值降低.用EBIC方法测量了电子和空穴的扩散长度.得到在掺杂杂质浓度相同的条件下电子的扩散长度随Al组分x值的增加而减小.空穴的扩散长度则不随Al组分的变化而变化. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |