| 导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET |
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| 引用本文： | 柏松,陈刚,李哲洋,张涛,汪浩,蒋幼泉.导通和半绝缘衬底上的SiC MESFET[J].半导体学报,2007,28(Z1):382-384. |
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| 作者姓名： | 柏松 陈刚 李哲洋 张涛 汪浩 蒋幼泉 |
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| 作者单位： | 柏松（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016）;陈刚（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016）;李哲洋（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016）;张涛（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016）;汪浩（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016）;蒋幼泉（南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室,南京,210016） |
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| 摘 要： | 分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导通衬底上的SiC MESFET在2GHz 50V工作时饱和输出功率为1.75W;在相同条件下半绝缘衬底的SiC MESFET饱和输出功率为3.38W,64V工作时最大输出功率超过4W.缓冲层参数的不同是造成微波性能差异的主要原因.
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| 关 键 词： | 碳化硅 导通衬底 半绝缘衬底 MESFET 微波功率 导通 绝缘衬底 MESFET Substrates 性能差异 微波 参数 缓冲层 最大输出功率 条件 饱和输出功率 工作 击穿电压 跨导 饱和电流 直流特性 器件 结构 外延生长 半绝缘 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0382-03 |
| 修稿时间： | 2006年12月29 |
SiC MESFET on Conductive and Semi-Insulating Substrates |
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| Bai Song,Chen Gang,Li Zheyang,Zhang Tao,Wang Hao,Jiang Youquan.SiC MESFET on Conductive and Semi-Insulating Substrates[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):382-384. |
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| Authors: | Bai Song Chen Gang Li Zheyang Zhang Tao Wang Hao Jiang Youquan |
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