首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

CdTe/ZnTe应变量子阱中的浅施主结合能
作者姓名:刘魁勇  邢金海
作者单位:辽宁大学物理系
摘    要:本文研究了介电常数失配对CdTe/ZnTe应变量子阱中浅施主杂质结合能的影响.在有效质量近似下,利用变分方法计算了阱宽、杂质位置及应变对结合能的影响,得到了介电失配使结合能减小的结论

关 键 词:应变量子阱 浅施主结合能 Ⅲ-Ⅴ族 半导体
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号