| 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究 |
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| 引用本文： | 刘传珍,杨柏梁,张玉,李牧菊,吴渊,廖燕平,王大海,邱法斌,李轶华,黄锡珉. 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究[J]. 液晶与显示, 2000, 15(4): 250-254 |
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| 作者姓名： | 刘传珍 杨柏梁 张玉 李牧菊 吴渊 廖燕平 王大海 邱法斌 李轶华 黄锡珉 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所；北方液晶工程研究开发中心，吉林长春 130021 |
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| 基金项目： | 中国科学院“九五”重大资助项目(KY951-A1-502)；吉林省“九五”科技攻关项目(970103-01)；吉林省杰出青年基金 |
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| 摘 要： | 利用金属诱导晶化（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ，ＭＩＣ）的方法研究了ａ－Ｓｉ／Ｎｉ的低温晶化，ＭＩＣ的晶化温度降低到４４０℃。采用ＸＲＤ、Ｒａｍａｎ、ＳＥＭ和ＸＰＳ等手段研究了Ｎｉ－ＭＩＣ多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
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| 关 键 词： | 晶化 多晶硅薄膜 退火 金属诱导法 |
| 文章编号： | 1007-2780(2000)04-0250-05 |
| 修稿时间： | 2000-08-27 |
Preparation and Characterization of p-Si Films by Metal Induced Crystallization at Low Temperature |
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| LIU Chuan zhen,YANG Bai liang,ZHANG Yu,LI Mu Ju,Wu Yuan,LIAO Yan ping,WANG Da hai,QIU Fa bin,LI Yi hua,HUANG Xi min. Preparation and Characterization of p-Si Films by Metal Induced Crystallization at Low Temperature[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2000, 15(4): 250-254 |
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| Authors: | LIU Chuan zhen YANG Bai liang ZHANG Yu LI Mu Ju Wu Yuan LIAO Yan ping WANG Da hai QIU Fa bin LI Yi hua HUANG Xi min |
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| Keywords: | metal induced crystallization p Si thin film annealing |
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