由分子束外延生长的高速GaAs异质结双极光电晶体管 |
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引用本文: | D·Ankri,侯文明.由分子束外延生长的高速GaAs异质结双极光电晶体管[J].微纳电子技术,1984(5). |
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作者姓名: | D·Ankri 侯文明 |
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摘 要: | 本文报导了一种新颖的异质结光电晶体管(HPT),它采用的是双基区结构,以便使发射极-基极耗尽区置于宽禁带材料中。在半绝缘衬底上制造出了小型的HPT,其最大电流增益β=300。用微微秒脉冲染色激光器已获得响应时间,其上升时间缩短到250ps。FWHM=320ps。
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