| AuGeNi／n－GaAs欧姆接触实验研究 |
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| 引用本文： | 张玉生,许汝民,刘东红,戴瑛,孟繁珉.AuGeNi／n－GaAs欧姆接触实验研究[J].山东大学学报(工学版),1994(4). |
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| 作者姓名： | 张玉生 许汝民 刘东红 戴瑛 孟繁珉 |
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| 作者单位： | 山东工业大学电子工程系，山东工业大学图书馆，山东工业大学数理系 |
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| 摘 要： | 优良的Ｍ－Ｓ欧姆接触，对于用Ⅲ～Ⅳ族元素化合物制造光电子器件，微波振荡器及微波电路的参数和稳定度是重要的，本工艺实验采用在真空系统中进行共晶的Ａｎ－Ｇｅ合金，利用ＡｕＧｅＮｉ合金组分实现在ｎ－ＧａＡｓ衬底上的欧姆接触．并结合资料，对完成的ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ的低欧姆接触机理进行了分析．
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| 关 键 词： | 金合金 砷化镓 接触电阻 |
THE EXPERIMENT ON THE TECHNOLOGY OF CONNECTION OF AuGeNi/n-GaAs |
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| Zhang Yusheng.THE EXPERIMENT ON THE TECHNOLOGY OF CONNECTION OF AuGeNi/n-GaAs[J].Journal of Shandong University of Technology,1994(4). |
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| Authors: | Zhang Yusheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Gold alloys Gallium arsenide Contact potential |
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