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| GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究 | |
| 引用本文： | 臧岚,杨凯,张荣,沈波,陈志忠,陈鹏,周玉刚,郑有炓,黄振春.GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究[J].半导体学报,1998,19(3):197-201. |
| 作者姓名： | 臧岚 杨凯 张荣 沈波 陈志忠 陈鹏 周玉刚 郑有炓 黄振春 |
| 作者单位： | 南京大学物理系 |
| 摘 要： | 本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据 |
| 关 键 词： | 氮化镓 紫外探测器 光电流性质 |
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