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| 应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱 | |
| 引用本文： | 史向华,柯练,靳彩霞,魏彦峰,凌震,俞根才,王杰.应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱[J].半导体学报,1998,19(11):818-823. |
| 作者姓名： | 史向华 柯练 靳彩霞 魏彦峰 凌震 俞根才 王杰 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８超晶格 |
| 关 键 词： | 应变层超晶格 光致发光谱 外延生长 半导体生长 |
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