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| Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜 | |
| 引用本文： | 屈新萍,李炳宗,茹国平,顾志光,徐鸿涛,莫鸿翔,刘京,朱剑豪.Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜[J].半导体学报,1998,19(9):641-645. |
| 作者姓名： | 屈新萍 李炳宗 茹国平 顾志光 徐鸿涛 莫鸿翔 刘京 朱剑豪 |
| 作者单位： | 复旦大学电子工程系 |
| 摘 要： | 本文研究Ｓｉ中间淀积层对ＣｏＳｉ２／Ｓｉ（１００）固相异质外延的影响．用离子束溅射方法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构，通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应．实验表明，利用Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ固相反应得到的ＣｏＳｉ２薄膜具有良好的外延特性，薄膜也具有良好的电学特性和热稳定性．实验发现在较低温度退火时，生成Ｃｏ２Ｔｉ４Ｏ之类化合物，作为扩散阻挡层有利于ＣｏＳｉ２薄膜的外延．在多层薄膜结构中加入Ｓｉ非晶层，既能减少衬底Ｓｉ消耗量，又能保持ＣｏＳｉ２良好外延特性 |
| 关 键 词： | 硅 外延生长 多层薄膜 固相反应 二硅化钴 |
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