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分类号
杂志ISSN号
Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜
引用本文:
屈新萍,李炳宗,茹国平,顾志光,徐鸿涛,莫鸿翔,刘京,朱剑豪.Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜[J].半导体学报,1998,19(9):641-645.
作者姓名:
屈新萍
李炳宗
茹国平
顾志光
徐鸿涛
莫鸿翔
刘京
朱剑豪
作者单位:
复旦大学电子工程系
摘 要:
本文研究Si中间淀积层对CoSi2/Si(100)固相异质外延的影响.用离子束溅射方法在Si(100)衬底上制备了Co/Si/Ti/Si多层薄膜结构,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.实验表明,利用Co/Si/Ti/Si固相反应得到的CoSi2薄膜具有良好的外延特性,薄膜也具有良好的电学特性和热稳定性.实验发现在较低温度退火时,生成Co2Ti4O之类化合物,作为扩散阻挡层有利于CoSi2薄膜的外延.在多层薄膜结构中加入Si非晶层,既能减少衬底Si消耗量,又能保持CoSi2良好外延特性
关 键 词:
硅
外延生长
多层薄膜
固相反应
二硅化钴
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