摘 要: | 本文作者在自己组装的立式MOCVD设备上,成功地应用高真空生长技术,于1050℃的高温条件下,在硅上外延生长了γ-Al2O3薄膜.从RHEED看到(100)硅上生长的薄膜是(100)立方单晶γ-Al2O3的衍射图样;平移样品,图样并不发生变化.X射线双晶衍射看到,除了硅的(400)峰和(200)峰以外,只在2θ为45°处有一个低而宽的小峰.XPS谱给出氧的1s峰位为532.3eV,Al的2p峰位为75.4eV,将他们与α-Al2O3比较,对应峰位移动了约3.5eV.俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ-Al2O3
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