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几种掺杂浓度的GaAs表面Si—δ杂结构研究
作者姓名:
刘兴权
摘 要:
本文利用了光调制光谱,原位测量了GaAs(001)表面Si-δ掺杂结构样品,研究了不同要浓度对Si-δ掺杂相关的光谱结构的影响,观察到了Si-δ掺杂结构中,价带连续态到导带半V-形势阱中子带的跃迁,观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动,而后达到饱和。
关 键 词:
砷化镓 掺杂 PR 结构
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