| TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性 |
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| 引用本文： | 刘京,茹国平,顾志光,屈新萍,李炳宗,朱剑豪.TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性[J].半导体学报,1998,19(3):214-217. |
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| 作者姓名： | 刘京 茹国平 顾志光 屈新萍 李炳宗 朱剑豪 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系，香港城市大学应用物理及材料科学系 |
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| 摘 要： | 本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄ＣｏＳｉ２膜的高温稳定性．采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Ｃｏ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｓｉ、Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ、ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ不同结构，在高纯氮气下进行快速热退火（ＲＴＡ），形成ＣｏＳｉ２薄膜．应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）进行测试．实验结果表明：ＴｉＮ覆盖层和Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的ＣｏＳｉ２薄膜的有效方法，有望应用于深亚微米接触和互连技术中．
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| 关 键 词： | VLSI ULSI IC 制造工艺 金属薄膜 二氧化钴 |
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