TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应改善超薄CoSi_2高温稳定性 |
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作者姓名: | 刘京 茹国平 顾志光 屈新萍 李炳宗 朱剑豪 |
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作者单位: | 复旦大学电子工程系,香港城市大学应用物理及材料科学系 |
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摘 要: | 本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中.
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关 键 词: | VLSI ULSI IC 制造工艺 金属薄膜 二氧化钴 |
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