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| 固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态 | |
| 引用本文： | 陈开茅,陈莹,张亚雄,金泗轩,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌,刘鸿飞.固体C_(60)/p-GaAs异质结的整流特性和界面电子态[J].半导体学报,1998,19(9):650-655. |
| 作者姓名： | 陈开茅 陈莹 张亚雄 金泗轩 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 刘鸿飞 |
| 作者单位： | [1]北京大学物理系 [2]北京大学化学系 |
| 摘 要： | 我们将Ｃ６０膜淀积在ｐ－ＧａＡｓ〈１００〉衬底上，做成了固体Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ异质结并对其电学性质做了研究．异质结的理想因子接近于１，在偏压为±１Ｖ时，其整流比大于１０６倍．在正向偏压固定的情况下，结电流的对数与温度倒数成线性函数关系，从关系中求出异质结有效势垒高度为０．６３ｅＶ．用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）技术在Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上观测到一个空穴陷阱，其能级为ＧａＡｓ价带之上０．４５ｅＶ，密度为２．４×１０１１／ｃｍ２．这样少的界面态存在于Ｃ６０／ｐ－ＧａＡｓ界面上可能意味着Ｃ６０膜对ＧａＡｓ表面 |
| 关 键 词： | 碳60 砷化镓 异质结 整流特性 界面电子态 |
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