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| 在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究 | |
| 引用本文： | 黄大定,高维滨,吴正龙,张建辉,刘志凯.在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究[J].半导体学报,1998,19(9):656-660. |
| 作者姓名： | 黄大定 高维滨 吴正龙 张建辉 刘志凯 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以得到：它们的晶格失配度为４．６６％，ＧａＳｂ是已采用生长ｃ－ＧａＮ衬底材料中较好的一种． |
| 关 键 词： | 氮化镓 锑化镓 低能双离子束 沉积 IBD |
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