摘 要: | 本文从二维模拟热载流子注入电流入手,讨论了不同硅层厚度、栅氧厚度和掺杂浓度对薄层深亚微米SOI/MOSFET’s热载流子效应的影响.模拟结果表明,对于不同的硅层厚度,沟道前表面漏结处的载流子浓度对热载流子效应起着不同的作用,有时甚至是决定性的作用.沟道前表面漏结处的载流子浓度和沟道最大电场一样,是影响薄层SOI/MOSFET’s热载流子效应的重要因素,这也就解释了以往文献中,随着硅层减薄,沟道电场增大,热载流子效应反而减小的矛盾.模拟也显示了在一定的硅层厚度变化范围内(60~100nm),器件热载流子效应
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