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| nc—Si：H／c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析 | |
| 引用本文： | 彭英才,刘明.nc—Si：H／c—Si量子点二极管中的共振隧穿特性分析[J].半导体学报,1998,19(8):583-590. |
| 作者姓名： | 彭英才 刘明 |
| 作者单位： | [1]河北大学电子与信息工程系 [2]北京航空航天大学非晶态物理与光信息研究室 |
| 摘 要： | 采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｓ－Ｓｉ：Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管。在１０￣１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性。结果指出，当反身偏压为－７￣－９Ｖ时，无论在σ－Ｖ还是在Ｉ－Ｖ特性曲线上都观测到了近乎等间距的量子化台阶，此起因于在ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ膜中具有无序排布且粒长大小不一的Ｓｉ微晶粒子，由于微晶粒子中能级的量 |
| 关 键 词： | 半导体量子点 量子点二极管 共振隧穿特性 |
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