摘 要: | 本文通过实验和对样品上钝化层成分的分析,提出了CCl2F2/O2混合气体对单晶硅的各向异性刻蚀机理:在一定功率下,CCl2F2离解出大量的CFx粒子和Cl粒子,在前者对样品的轰击下后者与轰击出的Si原子反应生成挥发性的SiCl4,产生刻蚀.O2的加入一方面形成钝化层SixOyFz保护侧壁,另一方面通过消耗CFx粒子减少其与Cl粒子的再结合而达到加速目的.探讨了在一定条件下压力和ICP功率对刻蚀速率和各向异性的影响.在大量实验的基础上优化各刻蚀参数,在ICP790设备上刻出了宽3μm,深16μm的窄槽,
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