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Si掺杂B_4C半导体的热电性能
作者姓名:蔡克峰  南策文  李世元
作者单位:武汉大学材料复合新技术国家重点实验室
摘    要:本文探讨了掺Si对B4C半导体的热电性能(包括电导率、热导率及Seebeck系数)及显微结构的影响,应用小极化子跃迁机制,讨论了Si掺杂B4C半导体的传输行为

关 键 词:碳化硼 硅 半导体材料 掺杂 热电性能
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