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| 1973年国际电子器件会议摘讯 | |
| 摘 要： | 美国贝尔实验室研制的1024单元P 沟道MOS随机存储器(MOS RAM)(Electronics.Dec.18,1972,p.29)采用电子束工艺重新生产后,使整个存储线路,包括地址、译码、读出放大器在内,可以放在一块47×71密耳~2的芯片上。这个数据较目前的MOS RAM 的面积小四倍。这个单管单元RAM 的对准精度为1微米,也是MOS RAM 的一个新记录。取数时间为45毫微秒(未改进以前,芯片取数时间为150ns,译者注),单元尺寸是栅长为4微米,接触孔为2微米见方。象以前的芯片一样,新的芯片也采 |
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