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退火温度对NiZn铁氧体薄膜性能的影响
引用本文:孙科,兰中文,聂小亮,余忠,赵晓宁,李乐中. 退火温度对NiZn铁氧体薄膜性能的影响[J]. 压电与声光, 2009, 31(5)
作者姓名:孙科  兰中文  聂小亮  余忠  赵晓宁  李乐中
作者单位:电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
摘    要:用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si(100)基片上沉积了NiZn铁氧体薄膜,研究了退火温度对薄膜结构和磁性能的影响.XRD研究表明,薄膜具有立方尖晶石结构,但当退火温度为900 ℃时,有SiO2相出现,发生了明显的Si扩散.原子力显微镜(AFM)究表明,退火温度升高,薄膜晶粒尺寸逐渐变大,粗糙度相应增加.随着退火温度的升高,薄膜的饱和磁化强度(Ms)呈先增加后降低的趋势,而矫顽力(Hc)与Ms变化相反.当退火温度为700 ℃时,薄膜具有最优磁性能,Ms=360×103 A/m,Hc=6 764 A/m.

关 键 词:镍锌铁氧体  薄膜  溶胶-凝胶法  磁性能  结构

Effect of Annealing Temperature on the Property of NiZn Ferrite Thin Films
SUN Ke,LAN Zhong-wen,NIE Xiao-liang,YU Zhong,ZHAO Xiao-ning,LI Le-zhong. Effect of Annealing Temperature on the Property of NiZn Ferrite Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2009, 31(5)
Authors:SUN Ke  LAN Zhong-wen  NIE Xiao-liang  YU Zhong  ZHAO Xiao-ning  LI Le-zhong
Abstract:
Keywords:
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