|
|||||
|
|
| 低温三氧化钼金属化工艺的研究 | |
| 引用本文： | 赵厚沛,谈曼君.低温三氧化钼金属化工艺的研究[J].光电子技术,1981(1). |
| 作者姓名： | 赵厚沛 谈曼君 |
| 摘 要： | (一)引言高温钼锰法是国内普遍采用而且比较成熟的一种陶瓷金属化方法.在此工艺中为保证陶瓷与金属的封接质量,必须采用1450℃～1500℃的高温烧结工艺,由于金属化烧结温度较高,破坏陶瓷的内相均匀性,同时也改变了所设计的陶瓷体的物理性能及介电性能,从而出现瓷体弯曲和尺寸变化等现象.这对于电子器件的高可靠性的提高、保证在复杂的电子陶瓷金属封接装置中的精确公差要求都非常不利. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |