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| 高温注入离子的扩散和激活行为的研究 | |
| 引用本文： | 俞跃辉,邹世昌.高温注入离子的扩散和激活行为的研究[J].半导体学报,1994,15(7):482-487. |
| 作者姓名： | 俞跃辉 邹世昌 |
| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所离子束开放室 |
| 摘 要： | 本文应用二次离子质谱（ＳＩＭＳ），微分霍尔效应和透射电镜（ＴＥＭ）研究了硅中高温注入砷离子的扩散和激活行为．将１８０ＫｅＶ，１×１０１５ｃｍ－２砷离子在５００℃至１０００℃的温度范围内注入硅．研究结果表明：在５００℃至８５０℃注入时所发生的异常扩散和载流子浓度及迁移率深度分布与剩余缺陷的分布密切相关；而且随着注入温度的增高，砷的增强扩散亦增强，同时所形成的剩余缺陷减少．在注入温度高于８５０℃时，随着注入温度的增高，砷的增强扩散效应减弱．在５００℃至１０００℃的注入温度，与热扩散相比，砷的增强扩散效应显著； |
| 关 键 词： | 离子注入 扩散 激活 高温离子注入 |
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