| Si3N4钝化层质量分析研究 |
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| 引用本文： | 丁丽,严如岳,何秀坤,李宝珠,李雨辰,何友琴,马农农,章安辉,刘立娜.Si3N4钝化层质量分析研究[J].半导体技术,2009,34(2). |
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| 作者姓名： | 丁丽 严如岳 何秀坤 李宝珠 李雨辰 何友琴 马农农 章安辉 刘立娜 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系.通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效.实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过100O h电老化后芯片表面无生成物产生.
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| 关 键 词： | 氮化硅 钝化层 表面分析 生成物 |
Analysis of Si_3N_4 Passivation Layer Quality |
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| Ding Li,Yan Ruyue,He Xiukun,Li Baozhu,Li Yuchen,He Youqin,Ma Nongnong,Zhang Anhui,Liu Lina.Analysis of Si_3N_4 Passivation Layer Quality[J].Semiconductor Technology,2009,34(2). |
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| Authors: | Ding Li Yan Ruyue He Xiukun Li Baozhu Li Yuchen He Youqin Ma Nongnong Zhang Anhui Liu Lina |
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| Affiliation: | The 46th Research Institute;CETC;Tianjin 300220;China |
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| Abstract: | The products grown on the surface of the failure device,and the relations of quality and processs of Si3N4 passivation layer were analysed by SEM,XPS and secondary ion mass spectrometry(SIMS).The analysis and experients results show that the structural defects in Si3N4 passivation layer is an important reason that leads to the leakage of device.It reveals that when SiOx is controlled under 10% in Si3N4 passivation layer and the water below 1% in device,no products will be grown on the surface after 1 000 h ... |
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| Keywords: | Si3N4 passivation layer surface analysis product |
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