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| 中温退火对坡莫合金薄膜AMR的影响 | |
| 引用本文： | 刘俊,郑瑞伦,段昌奎. 中温退火对坡莫合金薄膜AMR的影响[J]. 微电子学, 2004, 34(6): 644-647,651 |
| 作者姓名： | 刘俊 郑瑞伦 段昌奎 |
| 作者单位： | 1. 重庆邮电学院,光电工程学院,信息电子学研究所,重庆,400065;西南师范大学,物理学院,重庆,400715;重庆大学,数理学院,重庆,400044 2. 西南师范大学,物理学院,重庆,400715 3. 重庆邮电学院,光电工程学院,信息电子学研究所,重庆,400065 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(10147207)，重庆市科委技术项目(2003-6111)，重庆邮电学院青年基金(A2004-11) |
| 摘 要： | 制备了纳米级(Ni82Fe18)72．9Nb27．1(3．5nm)／Ni82Fe18(tnm)／Ta(3nm)坡莫合金系列膜，并进行了中温退火(200℃)，测量了退火前后样品的零场电阻率(ρ)，各向异性磁电阻(AMR)和微结构；从实验角度研究了中温退火对ρ和AMR随NiFe厚度(t)变化的影响，并探讨了该影响的微观机制。 |
| 关 键 词： | 坡莫合金薄膜 中温退火 零场电阻率 各向异性磁电阻 |
| 文章编号： | 1004-3365(2004)06-0644-04 |
Effect of Moderate Temperature Annealing on AMR in Permalloy Films |
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| LIU Jun. Effect of Moderate Temperature Annealing on AMR in Permalloy Films[J]. Microelectronics, 2004, 34(6): 644-647,651 | |
| Authors: | LIU Jun |
| Abstract: | |
| Keywords: | Permalloy films Moderate temperature annealing Zero magnetic field resistivity AMR |
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