| 晶格氧对LaNiO3-x薄膜导电性的影响 |
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| 引用本文： | 郑丁葳,赵强,王基庆. 晶格氧对LaNiO3-x薄膜导电性的影响[J]. 压电与声光, 2006, 28(6): 680-682,685 |
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| 作者姓名： | 郑丁葳 赵强 王基庆 |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学,物理系,上海,200062
2. 华东师范大学,电子系,上海,200062 |
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| 基金项目： | 上海市科委纳米专项研究计划基金资助项目(批准号0352nm077)，国家自然科学基金资助项目(60306002) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射制备了具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构的LaNiO3-x薄膜,并对薄膜在265℃的衬底温度下进行了原位热处理。测试结果表明薄膜具有金属导电性,薄膜中晶粒大小约为10 nm,并且热处理对薄膜的结构没有影响。同时,随着热处理时间延长,薄膜晶格的含氧量、电导率、光学折射率以及消光系数都将逐步降低。该文采用经典电磁理论,通过计算机模拟成功解释了这些实验结果和证明了以前给出的理论解释。此外,数值模拟和实验结果同时表明在纯氩气氛中溅射制备的LaNiO3薄膜晶格中存在氧空位,为了提高电导率,溅射时的氧气比例应超过20%。
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| 关 键 词： | 导电氧化物 LaNiO3 晶格氧 |
| 文章编号： | 1004-2474（2006）06-0680-03 |
| 收稿时间： | 2005-05-23 |
| 修稿时间： | 2005-05-23 |
A Study on the Effect of the Lattice Oxygen on the LaNiO3-x Thin Films |
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| ZHENG Ding-wei,ZHAO Qiang,WANG Ji-qing. A Study on the Effect of the Lattice Oxygen on the LaNiO3-x Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2006, 28(6): 680-682,685 |
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| Authors: | ZHENG Ding-wei ZHAO Qiang WANG Ji-qing |
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| Affiliation: | 1. Dept. of Physics,East China Normal University, Shanghai 200062, China; 2. Dept. of Eleetrics and Electronics,East China Normal University, Shanghai 200062,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | conductive oxides LaNiO_3 lattice oxygen |
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