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| 高激发密度下磷化镓等电子陷阱束缚机制研究 | |
| 作者姓名： | 刘晓 江炳熙 王乃光 陈孟德 杨石军 叶丽丽 |
| 作者单位： | 厦门大学物理系(刘晓，江炳熙)，中国科学院安徽光学精密机械研究所激光光谱学实验室(王乃光，陈孟德，杨石军)，中国科学院安徽光学精密机械研究所激光光谱学实验室(叶丽丽) |
| 摘 要： | 一、前言 很早就有激子受激光发射的报导,激子激光器的研究越来越受到人们的重视,为此,在高激发强度下,研究磷化镓中等电子陷阱束缚激子发光,无疑具有重要意义。 多年来,人们对GaP中激子束缚机制进行了大量研究。HTL模型及Allen模型可以说是两个比较成功模型。前者注重于等电子杂质原子与所取代的基质原子在电负性上的差异, |
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