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| MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率 | |
| 引用本文： | 杜庆红,何力,袁诗鑫.MBE生长的p－Hg_（1－x）Cd_xTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率[J].半导体学报,1995,16(3):182-187. |
| 作者姓名： | 杜庆红 何力 袁诗鑫 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 本文报道了利用分子束外延技术在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ／ＣｄＴｅ异质结，并通过ＶａｎｄｅｒＰａｕｗ（ＶｄＰ）方法测量Ｐ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ外延薄膜在不同温度及磁场下Ｈａｌｌ系数和电导率，采用最小二乘法对实验数据下行拟合，得到了混合导电机制下电子、重空穴和轻空穴的迁移率及载流子浓度． |
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