| SnO2∶Sb薄膜的制备和光致发光性质 |
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| 引用本文： | 王玉恒,马瑾,计峰,余旭浒,张锡健,马洪磊.SnO2∶Sb薄膜的制备和光致发光性质[J].半导体学报,2005,26(5):922-926. |
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| 作者姓名： | 王玉恒 马瑾 计峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院 济南250100
(王玉恒，马瑾，计峰，余旭浒，张锡健)，山东大学物理与微电子学院 济南250100(马洪磊) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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教育部科学技术基金 |
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| 摘 要： | 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2∶Sb薄膜．制备样品为多晶薄膜，具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向，Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中．室温条件下对样品进行光致发光测量，在392nm附近观测到强的紫外-紫光发射，发射强度随制备功率的增加而增强，且样品退火后发射强度也明显增强．紫外-紫光发射的起源被归于由Sb形成的施主能级和受主能级之间的电子跃迁．
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| 关 键 词： | SnO2∶Sb薄膜 射频磁控溅射 光致发光 |
| 文章编号： | 0253-4177(2005)05-0922-05 |
| 修稿时间： | 2004年7月4日 |
Preparation and Photoluminescence Characteristic of SnO: Sb Thin Films |
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| Wang Yuheng,Ma Jin,Ji Feng,Yu Xuhu,ZHANG Xijian,Ma Honglei.Preparation and Photoluminescence Characteristic of SnO: Sb Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2005,26(5):922-926. |
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| Authors: | Wang Yuheng Ma Jin Ji Feng Yu Xuhu ZHANG Xijian Ma Honglei |
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