改进达林顿管输出特性的措施 |
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引用本文: | 任慧敏.改进达林顿管输出特性的措施[J].半导体技术,1990(3):29-32. |
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作者姓名: | 任慧敏 |
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作者单位: | 877厂 |
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摘 要: | 单片功率达林顿器件既保持了分立器件的高耐压、大电流、高功率容量的优点,又是一种简单的功率集成。为了提高其热稳定性及改善输出特性,R_1及R_2的选取是十分重要的。本文着重介绍了一种方法:采用双次P扩散和对T_1、T_2管隔离的办法,利用基区薄层电阻作为R_1,从而提供了一种可以独立控制电阻R_1的办法,工艺上很容易实现,R_1的一致性又非常好,全部控制在5kΩ以上,I_c达10A时,I_b注入<0.2mA即可开启。
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关 键 词: | 功率 达林顿管 输出特性 晶体管 |
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