| 掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响 |
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| 引用本文： | 李长鹏,王矜奉,陈洪存,苏文斌,刘华,钟维烈,张沛霖. 掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响[J]. 压电与声光, 2001, 23(4): 309-312 |
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| 作者姓名： | 李长鹏 王矜奉 陈洪存 苏文斌 刘华 钟维烈 张沛霖 |
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| 作者单位： | 山东大学物理系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50072013) |
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| 摘 要： | 通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少量的Sb2O3可明显改善材料的非线性.研究中发现掺杂x(sb2O3)为0.01%的样品具有最高的质量密度(ρ＝6.90g/cm3)、最高的视在势垒电场(EB＝276V/cm)和最好的电学非线性(a＝12.89).提出了SnO2@Co2O3@Sb2O3的晶界缺陷势垒模型.
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| 关 键 词： | 氧化锑 电学性能 压敏电阻性能 二氧化锡 |
| 文章编号： | 1004-2474(2001)04-0309-04 |
| 修稿时间： | 2000-09-22 |
Effect of Antimony on the Electrical Properties of Thin Oxide Varistors |
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| LI Chang-peng,WANG Jin-feng,CHEN Hong-cun,SU Wen-bin,LIU Hua,ZHONG Wei-lie,ZHANG Pei-lin. Effect of Antimony on the Electrical Properties of Thin Oxide Varistors[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2001, 23(4): 309-312 |
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| Authors: | LI Chang-peng WANG Jin-feng CHEN Hong-cun SU Wen-bin LIU Hua ZHONG Wei-lie ZHANG Pei-lin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | varistors antimony oxide electrical properties defect barrier model |
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