| 半导体光放大器端面镀膜的实验与研究 |
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| 引用本文： | 常进,黄德修. 半导体光放大器端面镀膜的实验与研究[J]. 光通信研究, 2004, 0(5): 65-67 |
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| 作者姓名： | 常进 黄德修 |
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| 作者单位： | 华中科技大学,光电子工程系,湖北,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家"八六三计划"资助项目(2002AA312090) |
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| 摘 要： | 在中心波长为1 310 nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率＜10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹＜0.5 dB的半导体光放大器.
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| 关 键 词： | 半导体光放大器 减反膜镀制 剩余反射率 |
| 文章编号： | 1005-8788(2004)05-0065-03 |
| 修稿时间： | 2004-01-30 |
Experiment and research of coating on semiconductor optical amplifiers facets |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | semiconductor optical amplifier antireflection coating residual reflectivity |
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