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| 基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计 | |
| 引用本文： | 杨赟秀,袁菲,路小龙,景立,邓世杰,呙长冬,宋海智,张伟.基于InGaAs盖革模式APD探测器的主动淬灭电路设计[J].半导体技术,2019,44(5):329-334. |
| 作者姓名： | 杨赟秀 袁菲 路小龙 景立 邓世杰 呙长冬 宋海智 张伟 |
| 作者单位： | 西南技术物理研究所,成都,610041;西南技术物理研究所,成都,610041;西南技术物理研究所,成都,610041;西南技术物理研究所,成都,610041;西南技术物理研究所,成都,610041;西南技术物理研究所,成都,610041;西南技术物理研究所,成都,610041;西南技术物理研究所,成都,610041 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划;四川省科技计划 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | InGaAs 盖革模式 (GM) 雪崩光电二极管 (APD) 光探测器 主动淬灭 单光子 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |