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一种高工艺稳定性CMOS低功耗亚阈带隙基准
作者姓名:陆建恩  刘锡锋  王津飞  居水荣
作者单位:江苏信息职业技术学院微电子学院,江苏无锡,214153;江苏信息职业技术学院微电子学院,江苏无锡,214153;江苏信息职业技术学院微电子学院,江苏无锡,214153;江苏信息职业技术学院微电子学院,江苏无锡,214153
基金项目:江苏省教育厅资助项目;江苏省教育厅“青蓝工程”科技创新团队资助项目;江苏省教育厅“青蓝工程”优秀教学团队资助项目
摘    要:

关 键 词:带隙基准(BGR)  亚阈电流  低功耗  高压MOSFET  温度系数
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