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PVT法生长大尺寸CdS单晶中的孔洞研究
作者姓名:霍晓青  程红娟  于凯  赵堃  王健  金雷
作者单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220;中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220
基金项目:the National Natural Science Foundation of China
摘    要:

关 键 词:CdS单晶  物理气相传输(PVT)法  晶体缺陷  孔洞  霍尔迁移率
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