|
|||||
|
|
| SiC MOSFET的短路特性 | |
| 作者姓名： | 高勇 乔小可 孟昭亮 杨媛 |
| 作者单位： | 西安工程大学 电子信息学院,西安710048;西安理工大学 自动化与信息工程学院,西安710048;西安工程大学 电子信息学院,西安,710048;西安理工大学 自动化与信息工程学院,西安,710048 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;陕西省重点研发计划资助项目;西安市科技计划 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | SiC MOSFET 短路特性 FPGA 驱动保护 盲区时间 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |