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IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展
作者姓名:王玄石  高宝红  曲里京  檀柏梅  牛新环  刘玉岭
作者单位:河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津 300130;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;河北工业大学微电子技术与材料研究所,天津 300130
基金项目:国家自然科学基金;国家科技重大专项;河北省自然科学基金;河北省自然科学基金
摘    要:

关 键 词:缓蚀剂  化学机械抛光(CMP)  苯并三氮唑(BTA)  结构性损伤  电偶腐蚀
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