| 低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管 |
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| 引用本文： | 贾宏勇,陈培毅,钱佩信,潘宏菽,黄杰,杨增敏,李明月.低电压C类SiGe微波功率异质结双极型晶体管[J].半导体学报,2001,22(9):1188-1190. |
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| 作者姓名： | 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 潘宏菽 黄杰 杨增敏 李明月 |
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| 作者单位： | [1]清华大学电子所，北京100084 [2]信息产业部电子13所，石家庄051000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69836020,69476039; |
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| 摘 要： | 给出了低电压微波 Si Ge功率异质结双极型晶体管 (HBT)的器件结构和测试结果 .器件结构适于低压大电流状态下应用 .采用了梳状发射极条的横向版图设计 ,其工作电压为 3— 4V.在 C类工作状态 ,1GHz的工作频率下 ,输出功率可以达到 1.6 5 W,具有 8d B的增益 . 3V时可以达到的最高收集极效率为 6 7.8% .
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| 关 键 词： | 锗硅 异质结晶体管 微波功率晶体管 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)09-1188-03 |
| 修稿时间： | 2000年11月8日 |
Low Voltage Class C SiGe Microwave Power HBTs |
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| JIA Hong-yong,CHEN Pei-yi,TSIEN Pei-Hsin,PAN Hong-shu,HUANG Jie,YANG Zeng-min and LI Ming-yue.Low Voltage Class C SiGe Microwave Power HBTs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(9):1188-1190. |
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| Authors: | JIA Hong-yong CHEN Pei-yi TSIEN Pei-Hsin PAN Hong-shu HUANG Jie YANG Zeng-min and LI Ming-yue |
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| Affiliation: | JIA Hong-yong1,CHEN Pei-yi1,TSIEN Pei-Hsin1,PAN Hong-shu2,HUANG Jie2,YANG Zeng-min2 and LI Ming-yue2 |
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| Abstract: | The structure and microwave characteristics of low-voltage SiGe power HBTs are given.With this structure,the device can operate in a low-voltage and high-current state.By using an interdigital emitter strip layout and the operating voltage ranging from 3 to 4V,the output power in Class C operation can reach 1 65W at 1GHz,with the gain of 8dB.The highest collector efficiency is 67 8% under 3V. |
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| Keywords: | SiGe HBT microwave power transistor |
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